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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT48LC16M16A2B4-6AAAT:G
MT48LC16M16A2B4-6AAAT:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥36.21450

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5-7 工作日

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合计: ¥1,810.72500

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MT48LC8M16LFB4-10:G
MT48LC8M16LFB4-10:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥60.15953

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5-7 工作日

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合计: ¥60.15953

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MT47H64M8CB-37V:B
MT47H64M8CB-37V:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥41.44387

0

5-7 工作日

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合计: ¥41.44387

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MT25QL128ABB8E12-0AUT
MT25QL128ABB8E12-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥594.43929

1824

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合计: ¥594.43929

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MT47H64M8CB-3:B
MT47H64M8CB-3:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥525.44342

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合计: ¥525.44342

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MT25QU128ABB8ESF-0AUT
MT25QU128ABB8ESF-0AUT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥35.98273

4928

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合计: ¥35.98273

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MT48LC8M16LFB4-8:G
MT48LC8M16LFB4-8:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥86.59611

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合计: ¥86.59611

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MT47H64M8CB-5E:B
MT47H64M8CB-5E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥23.59737

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合计: ¥23.59737

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MT48H16M32L2B5-10
MT48H16M32L2B5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥51.45356

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合计: ¥51.45356

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MT48LC8M16LFF4-10:G
MT48LC8M16LFF4-10:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥57.85629

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合计: ¥57.85629

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EDB4432BBPA-1D-F-R
EDB4432BBPA-1D-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz

¥75.28995

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合计: ¥75,289.94600

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MT48H16M32L2B5-8
MT48H16M32L2B5-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥130.96612

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合计: ¥130.96612

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MT48LC8M16LFF4-8:G
MT48LC8M16LFF4-8:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥509.53802

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合计: ¥509.53802

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MT48H16M32L2F5-10
MT48H16M32L2F5-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥119.88448

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合计: ¥119.88448

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MT48LC8M16LFTG-75:G
MT48LC8M16LFTG-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥16.16615

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合计: ¥16.16615

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MT48LC8M32B2B5-7
MT48LC8M32B2B5-7
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥123.92602

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合计: ¥123.92602

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MT48H16M32L2F5-8
MT48H16M32L2F5-8
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥95.41797

0

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合计: ¥95.41797

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MT46V256M4P-6T:A
MT46V256M4P-6T:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥40.87893

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合计: ¥40.87893

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MT46V256M4P-75:A
MT46V256M4P-75:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥21.84459

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合计: ¥21.84459

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MT48H4M16LFB4-10
MT48H4M16LFB4-10
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥507.24926

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