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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT25QL256ABA8ESF-0SIT
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO

¥42.05881

7639

2-3 工作日

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合计: ¥42.05881

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MT25QL512ABB1EW9-0SIT
MT25QL512ABB1EW9-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (8x6) (MLP8)

¥34.30310

0

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合计: ¥34.30310

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MT25QU128ABA8ESF-0SIT
MT25QU128ABA8ESF-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO

¥14.96021

6793

2-3 工作日

- +

合计: ¥14.96021

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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO

¥57.53615

190

2-3 工作日

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合计: ¥57.53615

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MT25QU256ABA1EW9-0SIT
MT25QU256ABA1EW9-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (8x6) (MLP8)

¥206.63677

1839

2-3 工作日

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合计: ¥206.63677

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MT25QU256ABA8ESF-0SIT
MT25QU256ABA8ESF-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO

¥23.38081

2642

2-3 工作日

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合计: ¥23.38081

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MT25QU01GBBB8E12-0SIT
MT25QU01GBBB8E12-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8)

¥63.01613

696

2-3 工作日

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合计: ¥63.01613

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MT47H128M4CB-3:B
MT47H128M4CB-3:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥10.18352

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.18352

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MT41K128M16JT-125:K
MT41K128M16JT-125:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥12.78589

974

2-3 工作日

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合计: ¥12.78589

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MT47H128M4CB-5E:B
MT47H128M4CB-5E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA

¥58.45020

0

5-7 工作日

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合计: ¥58.45020

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MT28EW512ABA1HJS-0SIT
MT28EW512ABA1HJS-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥67.43913

1013

2-3 工作日

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合计: ¥67.43913

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MT47H128M8BT-37E:A
MT47H128M8BT-37E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥50.96104

0

5-7 工作日

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合计: ¥50.96104

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MT47H128M8BT-5E:A
MT47H128M8BT-5E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥114.36539

0

5-7 工作日

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合计: ¥114.36539

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MT25QL128ABA1EW7-0SIT
MT25QL128ABA1EW7-0SIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8)

¥12.53022

454

5-7 工作日

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合计: ¥1,440.97496

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MT47H16M16BG-3E:B
MT47H16M16BG-3E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x14)

¥49.29518

0

5-7 工作日

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合计: ¥49.29518

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MT47H16M16BG-5E:B
MT47H16M16BG-5E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x14)

¥49.54144

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合计: ¥49.54144

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MT47H256M4BT-37E:A
MT47H256M4BT-37E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥33.43323

0

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合计: ¥33.43323

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MT47H256M4BT-3:A
MT47H256M4BT-3:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥122.12978

0

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合计: ¥122.12978

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MT47H256M4BT-5E:A
MT47H256M4BT-5E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19)

¥15.49981

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MT29F8G08ABACAWP-IT:C
MT29F8G08ABACAWP-IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥22.83252

1855

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