美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO | ¥42.05881 | 7639 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥42.05881 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | ¥34.30310 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34.30310 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO | ¥14.96021 | 6793 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.96021 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO | ¥57.53615 | 190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥57.53615 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | ¥206.63677 | 1839 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥206.63677 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SO | ¥23.38081 | 2642 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23.38081 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-T-PBGA (6x8) | ¥63.01613 | 696 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥63.01613 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA | ¥10.18352 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.18352 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14) | ¥12.78589 | 974 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.78589 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA | ¥58.45020 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.45020 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥67.43913 | 1013 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥67.43913 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19) | ¥50.96104 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.96104 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19) | ¥114.36539 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥114.36539 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WPDFN (6x5)(MLP8) | ¥12.53022 | 454 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,440.97496 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x14) | ¥49.29518 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.29518 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x14) | ¥49.54144 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.54144 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 267兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19) | ¥33.43323 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.43323 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19) | ¥122.12978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥122.12978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 92-FBGA(11x19) | ¥15.49981 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49981 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥22.83252 | 1855 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.83252 | 立即购买 加入购物车 |