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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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M45PE16-VMW6G
M45PE16-VMW6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO W

¥35.62058

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5-7 工作日

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合计: ¥35.62058

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MT29F128G08AMCABH2-10:A
MT29F128G08AMCABH2-10:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥24.95903

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合计: ¥24.95903

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M45PE40-VMW6G
M45PE40-VMW6G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO W

¥38.22803

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合计: ¥38.22803

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MT29F128G08AUABAC5:B
MT29F128G08AUABAC5:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥110.43974

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合计: ¥110.43974

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N25Q008A11ESC40G
N25Q008A11ESC40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫

¥13.12414

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合计: ¥13.12414

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MT29F128G08AUABAC5-IT:B
MT29F128G08AUABAC5-IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥17.45539

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合计: ¥17.45539

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N25Q016A11ESC40G
N25Q016A11ESC40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥34.67901

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5-7 工作日

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合计: ¥34.67900

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MT29F128G08AUCBBH3-12:B
MT29F128G08AUCBBH3-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

¥62.11511

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合计: ¥62.11511

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N25Q032A11ESF40G
N25Q032A11ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO

¥30.33327

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5-7 工作日

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合计: ¥30.33327

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MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B
MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

¥473.43940

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合计: ¥473.43940

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MT48LC4M16A2P-7E:J
MT48LC4M16A2P-7E:J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥11.95079

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合计: ¥11.95079

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N25Q032A13ESE40E
N25Q032A13ESE40E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥27.34919

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合计: ¥27.34919

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MT29F128G08CEAAAC5:A
MT29F128G08CEAAAC5:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥17.93342

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合计: ¥17.93342

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N25Q064A13ESE40E
N25Q064A13ESE40E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥45.25364

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合计: ¥45.25364

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MT29F128G08CECABH1-12:A
MT29F128G08CECABH1-12:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥22.45299

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合计: ¥22.45299

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N25Q064A13ESEC0E
N25Q064A13ESEC0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO W

¥34.89629

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合计: ¥34.89629

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MT29F128G08CECABH1-12IT:A
MT29F128G08CECABH1-12IT:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥51.48253

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合计: ¥51.48253

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N25Q064A13ESF41G
N25Q064A13ESF41G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO W

¥66.18562

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MT29F128G08CFAAAWP:A
MT29F128G08CFAAAWP:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥60.69550

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MT47H128M8SH-25E:M
MT47H128M8SH-25E:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥21.91919

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