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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT29F256G08CMAAAC5:A
MT29F256G08CMAAAC5:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

¥87.67675

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MTFC16GJVEC-WT
MTFC16GJVEC-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥118.47936

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MT29F256G08CMCABH2-12:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥49.58489

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MTFC16GKQDI-IT
MTFC16GKQDI-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥20.96095

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MT29F2G01AAAEDH4:E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥37.43131

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MTFC16GLTAM-WT
MTFC16GLTAM-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥26.92910

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MT29F2G01AAAEDH4-IT:E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (2G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥97.61981

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MTFC16GLXAM-WT
MTFC16GLXAM-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥7.53262

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MT29F2G08ABAEAH4:E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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MT48LC4M16A2P-75:G
MT48LC4M16A2P-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥39.27100

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MT29F2G08ABBEAH4:E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥56.04556

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MT48LC4M16A2P-7E:G
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥61.97025

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MT29F2G08ABBEAHC:E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥43.31254

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MT29F2G16ABAEAWP:E
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥22.43767

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MTFC16GLXDV-WT
MTFC16GLXDV-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥120.97092

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MT29F2G16ABAEAWP-IT:E
MT29F2G16ABAEAWP-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥60.24644

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MTFC2GMUEA-WT
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥52.38065

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MT29F2G16ABBEAH4:E
MT29F2G16ABBEAH4:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥36.27244

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MT48LC8M16A2B4-75:G
MT48LC8M16A2B4-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

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MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

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