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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT48H16M16LFBF-75:H
MT48H16M16LFBF-75:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x9)

¥44.35552

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MT41J64M16JT-187E:G
MT41J64M16JT-187E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥94.44742

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MT41K1G4THD-15E:D
MT41K1G4THD-15E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥39.22755

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合计: ¥39.22755

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MT41K1G4THD-187E:D
MT41K1G4THD-187E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (1G x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥90.85494

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合计: ¥90.85494

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MT41K256M4JP-125:G
MT41K256M4JP-125:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x11.5)

¥28.50805

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MT47H128M4CF-187E:G
MT47H128M4CF-187E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥39.98081

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MT29F32G08AFACAWP:C
MT29F32G08AFACAWP:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥109.22293

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MT47H256M4CF-25:H
MT47H256M4CF-25:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥52.01851

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合计: ¥52.01851

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MT29F32G08AFACAWP-IT:C
MT29F32G08AFACAWP-IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥45.73167

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合计: ¥45.73167

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MT29F32G08CBACAWP-IT:C
MT29F32G08CBACAWP-IT:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥24.81418

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MT47H256M8EB-187E:C
MT47H256M8EB-187E:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 60-FBGA (9x11.5)

¥60.82587

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MT29F32G08CFACAWP:C
MT29F32G08CFACAWP:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥62.17305

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MT47H512M4EB-187E:C
MT47H512M4EB-187E:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 60-FBGA (9x11.5)

¥51.64188

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MT47H512M4EB-3:C
MT47H512M4EB-3:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (9x11.5)

¥122.94099

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MT47H512M4THN-25E:H
MT47H512M4THN-25E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 63-FBGA (8x10)

¥80.96114

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MT29F32G08CFACBWP-12:C
MT29F32G08CFACBWP-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥24.50997

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合计: ¥24.50997

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MT47H512M4THN-3:H
MT47H512M4THN-3:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (512M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 63-FBGA (8x10)

¥97.92401

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MT29F4G01AAADDHC:D
MT29F4G01AAADDHC:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥41.06724

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合计: ¥1,848.02594

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MT47H64M8CF-187E:G
MT47H64M8CF-187E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥8.51765

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合计: ¥8.51765

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MT29F4G01AAADDHC-IT:D
MT29F4G01AAADDHC-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (4G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥12.44330

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