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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MTFC2GMXEA-WT
MTFC2GMXEA-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 153-WFBGA (11.5x13)

¥42.70414

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5-7 工作日

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合计: ¥42.70414

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MT48LC8M16A2P-7E:G
MT48LC8M16A2P-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥37.54719

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合计: ¥37.54719

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MTFC32GJTED-IT
MTFC32GJTED-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 169-VFBGA (14x18)

¥91.44886

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合计: ¥91.44886

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MTFC32GJUEF-AIT
MTFC32GJUEF-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 169-TFBGA (14x18)

¥55.43716

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合计: ¥55.43716

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MTFC32GJVED-IT
MTFC32GJVED-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 169-VFBGA (14x18)

¥34.28789

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合计: ¥34.28789

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MT29F2G16ABBEAHC:E
MT29F2G16ABBEAHC:E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥101.29920

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合计: ¥101.29920

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MTFC32GLXDM-WT
MTFC32GLXDM-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥31.89773

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5-7 工作日

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合计: ¥31.89773

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MT29F32G08ABAAAWP:A
MT29F32G08ABAAAWP:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥9.63306

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合计: ¥9.63306

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MTFC4GGQDQ-IT
MTFC4GGQDQ-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

¥47.18025

0

5-7 工作日

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合计: ¥47.18025

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MT29F32G08ABAAAWP-IT:A
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥11.92181

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合计: ¥11.92181

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MTFC4GLUDM-AIT
MTFC4GLUDM-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 169-TFBGA (14x18)

¥135.36980

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5-7 工作日

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合计: ¥135.36980

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MT29F32G08AECBBH1-12:B
MT29F32G08AECBBH1-12:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥140.62815

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合计: ¥140.62815

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MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-VBGA(12x18)

¥74.90607

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MTFC4GMTEA-WT
MTFC4GMTEA-WT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Gb (4G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 153-WFBGA (11.5x13)

¥133.97916

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NP5Q128A13ESFC0E
NP5Q128A13ESFC0E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 16-SO W

¥40.83547

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合计: ¥40.83547

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NP8P128A13BSM60E
NP8P128A13BSM60E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥34.44723

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5-7 工作日

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合计: ¥34.44723

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NP8P128A13TSM60E
NP8P128A13TSM60E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥51.48253

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NP8P128A13B1760E
NP8P128A13B1760E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥51.39562

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合计: ¥51.39562

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NP8P128A13T1760E
NP8P128A13T1760E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥86.10360

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MT41J512M8THD-187E:D
MT41J512M8THD-187E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x11.5)

¥51.03347

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