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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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N25Q064A13ESF42G
N25Q064A13ESF42G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SO W

¥31.46316

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MT47H256M4SH-25E:M
MT47H256M4SH-25E:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥46.72501

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N25Q128A13BSF40G
N25Q128A13BSF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥30.08701

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5-7 工作日

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合计: ¥30.08701

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MT47H32M16NF-187E:H
MT47H32M16NF-187E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥98.60484

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N25Q128A13ESEC0G
N25Q128A13ESEC0G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

¥71.58882

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N25Q128A13TSF40G
N25Q128A13TSF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥156.05552

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MT48LC4M32B2P-6A IT:L
MT48LC4M32B2P-6A IT:L
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥19.20817

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N25Q128A13ESE40G
N25Q128A13ESE40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOP2

¥40.66164

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MT47H32M16NF-25E:H
MT47H32M16NF-25E:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥9.13330

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MT29F128G08CFAAAWP-IT:A
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥48.81715

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N25Q128A23BSF40G
N25Q128A23BSF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (32M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥39.95184

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合计: ¥39.95184

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MT48LC4M32B2P-6A:L
MT48LC4M32B2P-6A:L
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥81.95268

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MT29F128G08CFAABWP-12:A
MT29F128G08CFAABWP-12:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥45.13775

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N25Q256A11ESF40G
N25Q256A11ESF40G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOP2

¥30.85475

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MT48LC64M4A2P-6A:G
MT48LC64M4A2P-6A:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥192.50180

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合计: ¥192.50180

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MT29F128G08CKCCBH2-12:C
MT29F128G08CKCCBH2-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

¥42.06676

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NP8P128AE3B1760E
NP8P128AE3B1760E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: PCM (PRAM) 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-EasyBGA (8x10)

¥64.24452

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MT48LC64M4A2P-7E:G
MT48LC64M4A2P-7E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥63.17257

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MT47H64M16NF-25E:M
MT47H64M16NF-25E:M
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥45.05084

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MT29F16G08ABABAWP:B
MT29F16G08ABABAWP:B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥59.00066

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