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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT29F16G08CBACBWP-12:C
MT29F16G08CBACBWP-12:C
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥17.67268

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MT29F1G01AAADDH4-IT:D
MT29F1G01AAADDH4-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (1G x 1) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥28.00105

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合计: ¥28.00105

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MT29F1G08ABADAH4-IT:D
MT29F1G08ABADAH4-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥8.95222

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合计: ¥8.95222

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MT49H16M36BM-33:B
MT49H16M36BM-33:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥211.37679

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合计: ¥211.37679

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MT29F1G08ABADAWP:D
MT29F1G08ABADAWP:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥29.85734

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MT49H32M18BM-25:B
MT49H32M18BM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥149.65280

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合计: ¥149.65280

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MT49H32M18BM-33:B
MT49H32M18BM-33:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥336.07056

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MT48LC16M16A2P-75:D
MT48LC16M16A2P-75:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥789.43264

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MT29F1G08ABADAWP-IT:D
MT29F1G08ABADAWP-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥19.27046

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MT49H32M9BM-33:B
MT49H32M9BM-33:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (32M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥42.61722

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MT48LC16M16A2P-7E:D
MT48LC16M16A2P-7E:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥11.97976

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MT29F1G08ABBDAH4:D
MT29F1G08ABBDAH4:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥17.18595

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MT49H64M9BM-25:B
MT49H64M9BM-25:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥79.12144

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MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥44.10926

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M58LR256KB70ZC5Z
M58LR256KB70ZC5Z
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 79-VFBGA (9x11)

¥41.89293

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合计: ¥41.89293

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MT49H64M9CBM-25E:B
MT49H64M9CBM-25E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

¥58.56609

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MT48LC2M32B2B5-7:G
MT48LC2M32B2B5-7:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥46.00690

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MT29F1G08ABBDAHC:D
MT29F1G08ABBDAHC:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥502.75866

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MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥80.12096

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MT29F1G16ABBDAH4:D
MT29F1G16ABBDAH4:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥55.20538

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