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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT49H8M36BM-25E:B
MT49H8M36BM-25E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-BGA (18.5x11)

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MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 121-VFBGA (11x10)

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MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥34.72246

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MT48LC2M32B2P-6:G
MT48LC2M32B2P-6:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥151.94156

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MT66R7072A10ACUXZW.ZCA
MT66R7072A10ACUXZW.ZCA
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 121-VFBGA (8x8)

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M25PE10-VMN6P
M25PE10-VMN6P
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 8-SO

¥502.52689

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MTFC16GJUEF-AIT
MTFC16GJUEF-AIT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 169-TFBGA (14x18)

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MT29F1G16ABBDAHC:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥66.75057

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MT29F1G16ABBDAHC-IT:D
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

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MT29F256G08AUAAAC5:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

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MT29F256G08AUAAAC5-IT:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 52-VLGA (18x14)

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MT29F256G08AUCABH3-10:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

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M28W640HST70ZA6F
M28W640HST70ZA6F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-TFBGA (10.5x6.39)

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MT29F256G08AUCABH3-10IT:A
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-LBGA(12x18)

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MT29F256G08CJAAAWP:A
MT29F256G08CJAAAWP:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

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MT48LC2M32B2P-7:G
MT48LC2M32B2P-7:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

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MT29F256G08CJAABWP-12:A
MT29F256G08CJAABWP-12:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 48-TSOP I

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MT29F256G08CKCABH2-12:A
MT29F256G08CKCABH2-12:A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Gb (32G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TBGA(12x18)

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MTFC16GJVEC-IT
MTFC16GJVEC-IT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏

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MT48LC32M16A2P-75:C
MT48LC32M16A2P-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

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