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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W97AH2NBVA1I
W97AH2NBVA1I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥50.62787

117

5-7 工作日

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合计: ¥50.62787

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W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.48407

147585

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.48407

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W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥3.52657

109541

2-3 工作日

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合计: ¥3.52657

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W25Q32JVSFIQ
W25Q32JVSFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥6.86267

20743

2-3 工作日

- +

合计: ¥6.86267

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W25Q64JVSSIQ
W25Q64JVSSIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.64873

158378

2-3 工作日

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合计: ¥2.64873

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W25Q64JVSSIM
W25Q64JVSSIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥5.70663

3487

2-3 工作日

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合计: ¥5.70663

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W25Q64JVSFIQ
W25Q64JVSFIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥6.40025

9213

2-3 工作日

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合计: ¥6.40025

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W631GG6NB11I
W631GG6NB11I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥41.71910

344

5-7 工作日

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合计: ¥41.71910

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W631GU6NB11I
W631GU6NB11I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V、1.425V~1.575V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥41.71910

28

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.71910

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W25X20CLZPIG
W25X20CLZPIG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥2.36621

0

2-3 工作日

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合计: ¥2.36621

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W631GG6NB12I
W631GG6NB12I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-VFBGA(7.5x13)

¥41.13967

198

5-7 工作日

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合计: ¥41.13967

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W29N01HZBINF
W29N01HZBINF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)

¥31.36176

174

5-7 工作日

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W948D2FBJX5E
W948D2FBJX5E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13)

¥31.36176

151

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.36176

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W971GG8SS25I
W971GG8SS25I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x9.5)

¥35.92478

0

5-7 工作日

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W978H6KBVX2E
W978H6KBVX2E
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-VFBGA (10x11.5)

¥44.90598

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.90598

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W9464G6KH-5
W9464G6KH-5
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥9.15373

92

2-3 工作日

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合计: ¥9.15373

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W25R64JWZPIQ
W25R64JWZPIQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥16.58624

37

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合计: ¥16.58624

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W66CP2NQUAFJ
W66CP2NQUAFJ
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (128M x 32) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 2.133 GHz 供应商设备包装: 200-WFBGA (10x14.5)

¥80.61348

34

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W9725G6KB-25
W9725G6KB-25
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5)

¥13.94604

23309

2-3 工作日

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W25Q128JVFIM
W25Q128JVFIM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

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