品牌介绍
Etron Technology是一家总部位于台湾的无晶圆厂DRAM供应商，成立于1991年，专注于为传统DRAM产品和增值DRAM提供客户解决方案，这些DRAM针对形状因素驱动的应用进行了优化，尤其是在移动和可穿戴市场。Etron的产品因包装、AOQ、参数化规格和独特功能而与众不同。Etron是经过全面测试的裸芯片DRAM“已知良好芯片”的领先供应商，最近推出了世界上第一款晶圆级芯片级封装的DRAM。Etron的产品线涵盖伪静态和单数据速率，最新的DDR产品，是您的首选供应商。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10) | ¥22.52484 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45,049.68000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥22.52484 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56,312.10000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5) | ¥37.71096 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94,277.39000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（9x13） | ¥37.71096 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75,421.91200 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥37.71096 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75,421.91200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.6) | ¥37.71096 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94,277.39000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5) | ¥42.37097 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥105,927.41250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（9x13） | ¥42.37097 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84,741.93000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6) | ¥59.97121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.97121 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥42.37097 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84,741.93000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥10.99791 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,997.90900 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥48.51700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48,517.00000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥49.61966 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49,619.65900 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥12.18183 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,181.83400 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥12.79096 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,790.96100 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥12.79096 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,790.96100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-FBGA (8x8) | ¥13.18092 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,952.29750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥13.18092 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,952.29750 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥13.40002 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,400.01700 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥14.00907 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,009.07200 | 添加到BOM 立即询价 |