品牌介绍
Etron Technology是一家总部位于台湾的无晶圆厂DRAM供应商，成立于1991年，专注于为传统DRAM产品和增值DRAM提供客户解决方案，这些DRAM针对形状因素驱动的应用进行了优化，尤其是在移动和可穿戴市场。Etron的产品因包装、AOQ、参数化规格和独特功能而与众不同。Etron是经过全面测试的裸芯片DRAM“已知良好芯片”的领先供应商，最近推出了世界上第一款晶圆级芯片级封装的DRAM。Etron的产品线涵盖伪静态和单数据速率，最新的DDR产品，是您的首选供应商。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.5) | ¥25.37007 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63,425.17000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥34.83835 | 10717 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.83835 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥23.90157 | 2268 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.90157 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥25.85715 | 448 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.85715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（9x13） | ¥26.67415 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53,348.30400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（9x13） | ¥29.04519 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58,090.37600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥69.16970 | 2488 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.16970 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥73.00843 | 1445 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.00843 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA（8x13） | ¥21.56878 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,353.16550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND | ¥143.95264 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥287,905.27600 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5) | ¥51.60566 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129,014.15750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥54.32175 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135,804.37500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6) | ¥54.32175 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135,804.37500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6) | ¥59.75393 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥149,384.81250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥59.75393 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥149,384.81250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.5) | ¥65.33096 | 2376 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.33096 | 添加到BOM 立即询价 |