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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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SH8K10SGZETB
SH8K10SGZETB
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 8.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥9.99520

2475

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.99520

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QS8J5TR
QS8J5TR
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥10.57463

2550

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.57463

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SH8M24TB1
SH8M24TB1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 3.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.08164

2274

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.08164

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SP8K3FRATB
SP8K3FRATB
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.51621

2428

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.51621

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HP8MA2TB1
HP8MA2TB1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、15A(Ta) 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.34405

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.34405

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SP8K22FRATB
SP8K22FRATB
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥13.03722

2382

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.03722

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SP8M5FRATB
SP8M5FRATB
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 7A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥13.61665

1475

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.61665

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HP8M51TB1
HP8M51TB1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥15.28252

1485

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.28252

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SH8J66TB1
SH8J66TB1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥16.80353

2268

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.80353

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SH8K3TB1
SH8K3TB1
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8

¥8.83634

1563

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.83634

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SP8J2TB
SP8J2TB
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC

¥9.48820

1370

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.48820

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SH8M2TB1
SH8M2TB1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.59104

174

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.59104

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SH8K22TB1
SH8K22TB1
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8

¥922.00668

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥922.00668

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SH8K12TB1
SH8K12TB1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.86500

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,162.50500

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SP8M24FU7TB1
SP8M24FU7TB1
MOSFET N/P-CH 8SOP

¥2,790.86320

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,790.86320

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SP8M3FD5TB1
SP8M3FD5TB1
MOSFET N/P-CH 30V 8SOP

¥265.42331

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥265.42331

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SP8M3FU6TB1
SP8M3FU6TB1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥8.95222

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.95222

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SP8M8FD5TB1
SP8M8FD5TB1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥351.58485

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥351.58485

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SP8J62TB1
SP8J62TB1
MOSFET 2P-CH 30V 8SOP

¥644.14007

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥644.14007

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SP8M3FU7TB1
SP8M3FU7TB1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥6.30132

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.30132

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