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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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R6035KNZC8
R6035KNZC8
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 102W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.80593

9000

5-7 工作日

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合计: ¥11.80593

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RRR015P03TL
RRR015P03TL
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥58.82683

9000

5-7 工作日

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合计: ¥58.82683

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RRR040P03TL
RRR040P03TL
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.11468

170

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合计: ¥1.11468

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RSR020N06TL
RSR020N06TL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥34.07060

9000

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合计: ¥34.07060

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RAQ045P01MGTCR
RAQ045P01MGTCR
1.5V DRIVE PCH MOSFET

¥16.99184

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合计: ¥16.99184

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RP1E070XNTCR
RP1E070XNTCR
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥18.04931

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合计: ¥18.04931

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RP1E075RPTR
RP1E075RPTR
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥15.38392

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合计: ¥15.38392

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RP1E090XNTCR
RP1E090XNTCR
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.26995

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5-7 工作日

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合计: ¥11.26995

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RP1E100XNTR
RP1E100XNTR
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥70.03884

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合计: ¥70.03884

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RP1E125XNTR
RP1E125XNTR
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥27.72582

9000

5-7 工作日

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合计: ¥27.72582

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RP1H065SPTR
RP1H065SPTR
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.57415

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5-7 工作日

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合计: ¥11.57415

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RP1L055SNTR
RP1L055SNTR
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥27.78376

9000

5-7 工作日

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合计: ¥27.78376

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RP1L080SNTR
RP1L080SNTR
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: MPT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥26.97256

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5-7 工作日

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合计: ¥26.97256

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RQ3E150MNTB1
RQ3E150MNTB1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥27.08845

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合计: ¥27.08845

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RRL035P03TR
RRL035P03TR
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥46.40235

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合计: ¥46.40235

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RSD050N10TL
RSD050N10TL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥89.62365

9000

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合计: ¥89.62365

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RSD100N10TL
RSD100N10TL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥44.99290

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合计: ¥44.99290

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RSD140P06TL
RSD140P06TL
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥46.45596

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合计: ¥46.45596

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RSE002N06TL
RSE002N06TL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: EMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥36.93879

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合计: ¥36.93879

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RSU002N06T106
RSU002N06T106
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: UMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥165.57269

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