品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6 | ¥4.92517 | 3853 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.92517 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 | 1969 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 | ¥4.34574 | 6730 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 12V 4A TSST8 | ¥6.59104 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 250V 4A CPT3 | ¥5.14246 | 330 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.14246 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥26.14687 | 1751 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.14687 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta） 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥23.98124 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23,981.24200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC | ¥6.30132 | 448 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.30132 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP | ¥6.66347 | 1746 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.66347 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥89.01524 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥89.01524 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 | ¥4.99760 | 1453 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥67.73560 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.73560 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 600V 12A LPT | ¥24.91558 | 938 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.91558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥87.65358 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.65358 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.65867 | 1949 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.65867 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥23.65531 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.65531 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6 | ¥0.49831 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.49831 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Tc） 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.11109 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.11109 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 供应商设备包装: LPTS | ¥26.00201 | 1990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.00201 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 850mW (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥42.92143 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.92143 | 添加到BOM 立即询价 |