品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP | ¥5.93918 | 4815 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥17.73062 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.73062 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 | ¥2.89716 | 7791 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥59.46421 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.46421 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.97880 | 1965 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 379W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 | ¥11.63210 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.63210 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.55933 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.55933 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.02561 | 2330 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.02561 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥24.87212 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.87212 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 379W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥69.69118 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.69118 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 500V 16A LPT | ¥21.29413 | 816 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.29413 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.33030 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.33030 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 | 5261 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.25739 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.25739 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 | ¥4.27331 | 7960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.27331 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥98.11232 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.11232 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.77792 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.77792 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥22.48196 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.48196 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥54.64044 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.64044 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 2.5V DRIVE UMT3F | ¥1.61806 | 103 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.61806 | 立即购买 加入购物车 |