ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 | ¥7.70645 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.70645 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.18640 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.18640 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥13.35591 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.35591 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥88.45030 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.45030 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥5.17143 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.17143 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 | ¥29.42066 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.42066 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥14.31197 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.31197 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.22985 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.22985 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8 | ¥4.14294 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.14294 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP | ¥14.70309 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.70309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 150W(Ta) 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥30.13046 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.13046 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 200mW 供应商设备包装: UMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥17.10773 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.10773 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥61.10110 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.10110 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥15.32598 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.32598 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥11.00921 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.00921 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: UMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.59971 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.59971 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥13.05171 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.05171 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 850mW (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥24.22026 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.22026 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 45V CPT3 | ¥4.95414 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.95414 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.56255 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.56255 | 添加到BOM 立即询价 |