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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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LSS050P03FP8TB1
LSS050P03FP8TB1
MOSFET P-CH 30V 5A SOP8

¥7.70645

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.70645

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RRS090N03FU7TB1
RRS090N03FU7TB1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥4.18640

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.18640

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RSS070P05TB1
RSS070P05TB1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥13.35591

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.35591

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RSS075P03TB1
RSS075P03TB1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥88.45030

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.45030

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RSS065N03TB1
RSS065N03TB1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥5.17143

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.17143

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LSS040P03FP8TB1
LSS040P03FP8TB1
MOSFET P-CH 30V 4A SOP8

¥29.42066

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.42066

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RSS070N05TB1
RSS070N05TB1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥14.31197

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.31197

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RSS100N03TB1
RSS100N03TB1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥4.22985

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.22985

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RSS065N06FW6TB1
RSS065N06FW6TB1
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8

¥4.14294

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.14294

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RRS075P03FD5TB1
RRS075P03FD5TB1
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

¥14.70309

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.70309

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RE1C002ZPMGTL
RE1C002ZPMGTL
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 150W(Ta) 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥30.13046

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.13046

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RHU003N03FRAT106
RHU003N03FRAT106
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 200mW 供应商设备包装: UMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥17.10773

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.10773

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RSS070P05FRATB
RSS070P05FRATB
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥61.10110

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.10110

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RSS060P05FRATB
RSS060P05FRATB
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度

¥15.32598

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.32598

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RSS065N06FRATB
RSS065N06FRATB
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.00921

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.00921

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RJU002N06FRAT106
RJU002N06FRAT106
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: UMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.59971

200

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.59971

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RSS070N05FRATB
RSS070N05FRATB
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥13.05171

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.05171

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RCD100N20TL
RCD100N20TL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 850mW (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥24.22026

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.22026

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RSD045P05TL
RSD045P05TL
MOSFET P-CH 45V CPT3

¥4.95414

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.95414

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RSD080N06TL
RSD080N06TL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥5.56255

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.56255

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