品牌介绍
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET P-CH 30V 5A MPT6 | ¥6.51861 | 95 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.51861 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥15.65915 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.65915 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP | ¥41.24107 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.24107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 850mW (Ta), 15W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥116.11817 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥116.11817 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: TUMT6 | ¥4.20088 | 8261 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.20088 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A（Ta） 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥58.79786 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.79786 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 600V 6A CPT | ¥17.02082 | 2350 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.02082 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 850mW (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥55.95865 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.95865 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP | ¥7.38776 | 2415 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.38776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.50077 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.50077 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 9A SOP8 | ¥7.46019 | 2403 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.46019 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.63498 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.63498 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 | ¥4.05602 | 2706 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.05602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.64706 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.64706 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 600V 15A LPT | ¥26.14687 | 980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.14687 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥83.16298 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.16298 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 850mW (Ta), 20W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.86675 | 2865 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.86675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥193.28403 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥193.28403 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 600V 20A LPT | ¥29.33375 | 960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.33375 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥24.45203 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.45203 | 添加到BOM 立即询价 |