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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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操作
RSS090P03FU7TB
RSS090P03FU7TB
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.10044

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.10044

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RXR035N03TCL
RXR035N03TCL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥9.44474

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.44474

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RW1E015RPT2R
RW1E015RPT2R
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

¥3.40416

6733

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.40416

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RSQ015N06TR
RSQ015N06TR
MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6

¥3.91117

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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R6020ENZC17
R6020ENZC17
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥14.28300

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.28300

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RS1E320GNTB
RS1E320GNTB
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta), 34.6W (Tc) 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥29.37720

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.37720

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RSS090N03FRATB
RSS090N03FRATB
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥100.12585

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥100.12585

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RSR020P05FRATL
RSR020P05FRATL
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.68373

270

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.68373

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RAL045P01TCR
RAL045P01TCR
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥31.38349

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.38349

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RAL035P01TCR
RAL035P01TCR
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.73033

158

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.73033

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R5011FNX
R5011FNX
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta),5.4A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥32.30333

418

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.30333

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R6008FNX
R6008FNX
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥26.36416

777

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.36416

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RDD020N50TL
RDD020N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3

¥26.91462

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.91462

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R5009ANX
R5009ANX
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.80593

489

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.80593

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R6046ANZ1C9
R6046ANZ1C9
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥114.36539

448

5-7 工作日

- +

合计: ¥114.36539

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RCX510N25
RCX510N25
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Ta) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥32.08605

905

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.08605

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R6015FNX
R6015FNX
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥44.97841

702

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.97841

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R6046FNZ1C9
R6046FNZ1C9
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥82.06206

290

5-7 工作日

- +

合计: ¥82.06206

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R5005CNX
R5005CNX
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.80929

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.80929

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R6008ANX
R6008ANX
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥22.52542

1234

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.52542

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