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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
TTC004B,Q
TTC004B,Q
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1.5 A 集电极击穿电压: 160伏 最大功率: 10 W 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: TO-126N

¥2.75348

2892

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.75348

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HN2A01FU-Y(TE85L,F
HN2A01FU-Y(TE85L,F
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥3.25931

4835

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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HN2C01FEYTE85LF
HN2C01FEYTE85LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.72429

3825

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.72429

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RN4907FE,LF(CT
RN4907FE,LF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.98938

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.98938

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RN1907FE,LF(CT
RN1907FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥0.97127

75

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.97127

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RN1903,LF(CT
RN1903,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.02801

485

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.02801

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RN4986(T5L,F,T)
RN4986(T5L,F,T)
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: US6

¥2.17287

553

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.17287

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RN1905(T5L,F,T)
RN1905(T5L,F,T)
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: US6

¥2.46259

681

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.46259

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RN1904FE,LF(CT
RN1904FE,LF(CT
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ES6

¥1.14003

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.14003

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RN2506(TE85L,F)
RN2506(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SMV

¥1.23636

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.23636

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2SC6135,LF
2SC6135,LF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 供应商设备包装: UFM

¥3.54902

32835

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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RN2967(TE85L,F)
RN2967(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2969(TE85L,F)
RN2969(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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RN2971(TE85L,F)
RN2971(TE85L,F)
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: US6

¥3.47659

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.47659

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2SC5085-Y(TE85L,F)
2SC5085-Y(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 80毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 100mW 特征频率: 7GHz 供应商设备包装: SC-70

¥1.75640

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,269.20900

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2SC5084-O(TE85L,F)
2SC5084-O(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 80毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150mW 特征频率: 7GHz 供应商设备包装: S-Mini

¥1.19001

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.19001

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2SC5087YTE85LF
2SC5087YTE85LF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 80毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 150mW 特征频率: 7GHz 供应商设备包装: SMQ

¥1.30901

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30901

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MT3S20TU(TE85L)
MT3S20TU(TE85L)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 80毫安 集电极击穿电压: 12伏 最大功率: 900mW 特征频率: 7GHz 供应商设备包装: UFM

¥1.30901

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,927.02700

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MT3S113TU,LF
MT3S113TU,LF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 5.3V 最大功率: 900mW 特征频率: 11.2GHz 供应商设备包装: UFM

¥1.98818

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,964.52800

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RN4907,LXHF(CT
RN4907,LXHF(CT
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 200MHz、250MHz 供应商设备包装: US6

¥1.58113

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.58113

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