品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH 75V TO220 | ¥12.50125 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.50125 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 100V TO262 | ¥29.43515 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.43515 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 6.25W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.58816 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.58816 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 24A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta）、20W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.32982 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.32982 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH | ¥19.32406 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.32406 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.15743 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.15743 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.28300 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.28300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.31677 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.31677 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥66.98234 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.98234 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.88756 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.88756 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥32.28885 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.28885 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.35015 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.35015 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.44234 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.44234 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 5W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.28069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.28069 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO252 | ¥17.19465 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.19465 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO252 | ¥54.40867 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.40867 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.41145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.41145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.69637 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.69637 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.37336 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.37336 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.8W（Ta） 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.24288 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥158.24288 | 添加到BOM 立即询价 |