品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥92.10480 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22,105.15224 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥22.89263 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,889.61789 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥92.10480 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥27,631.44030 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥98.04931 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23,531.83440 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥19.62114 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,828.15637 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥46.16262 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,971.12657 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥41.06041 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82,120.82600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥20.43037 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥40,860.73400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥68.20632 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥102,309.47550 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥110.97977 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,990.54344 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥38.20184 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,168.44232 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥68.20632 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥102,309.47550 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥166.52658 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,989.91405 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥68.23785 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥136,475.69000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥19.87337 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29,810.04900 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥110.97977 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,990.54344 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（10x14） | ¥228.31721 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥31,051.14083 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥46.63196 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,191.67112 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥55.50039 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,545.07486 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥33.58243 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,126.94806 | 立即购买 加入购物车 |