品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥38.87445 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥97,186.12000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥52.05690 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,997.46192 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥105.51486 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18,043.04055 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥13.60974 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34,024.33750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥93.30288 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22,392.69072 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥101.77349 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥81,418.79440 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥66.06239 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥165,155.97250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥27.46119 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥27,461.18700 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥42.22104 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,399.67999 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥150.58134 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥36,139.52160 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥128.26781 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,235.28246 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥26.52712 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,594.78720 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥27.39844 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,205.70398 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥23.14180 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥92,567.21600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10) | ¥80.36794 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24,110.38290 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥56.78255 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥85,173.82050 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥39.56796 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,546.68001 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥151.32554 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥302,651.08000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥122.03852 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29,289.24456 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥28.72232 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥71,805.80250 | 立即购买 加入购物车 |