久芯网

品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
IS42S16400J-6TLI
IS42S16400J-6TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥11.87329

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,411.57444

立即购买
加入购物车
IS42S32400F-6BL-TR
IS42S32400F-6BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥37.01428

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥92,535.69000

立即购买
加入购物车
IS64WV51216BLL-10MLA3
IS64WV51216BLL-10MLA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11)

¥160.73516

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥33,754.38381

立即购买
加入购物车
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥41.09766

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥41,097.66300

立即购买
加入购物车
IS42S16400J-5BL-TR
IS42S16400J-5BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥13.73585

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥34,339.62000

立即购买
加入购物车
IS64LV25616AL-12TLA3
IS64LV25616AL-12TLA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥91.32573

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥12,328.97301

立即购买
加入购物车
IS45S16320F-7CTLA2
IS45S16320F-7CTLA2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥130.05442

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥14,045.87714

立即购买
加入购物车
IS43R86400E-5BL
IS43R86400E-5BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥52.91507

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥10,053.86330

立即购买
加入购物车
IS61C1024AL-12HLI
IS61C1024AL-12HLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I

¥14.29285

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥10,033.58000

立即购买
加入购物车
IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR
IS64WV5128BLL-10CTLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥57.32904

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥57,329.03800

立即购买
加入购物车
IS43LD16128B-18BLI
IS43LD16128B-18BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥61.47991

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥10,513.06427

立即购买
加入购物车
IS43R86400E-6TLI
IS43R86400E-6TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥50.82369

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥10,977.91704

立即购买
加入购物车
IS43LR16640A-6BL
IS43LR16640A-6BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10)

¥66.04137

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥19,812.41130

立即购买
加入购物车
IS61WV10248EDBLL-10BLI
IS61WV10248EDBLL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥71.62721

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥34,381.06128

立即购买
加入购物车
IS43LR32400G-6BLI-TR
IS43LR32400G-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥35.46939

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥88,673.46750

立即购买
加入购物车
IS43LD32640B-18BL-TR
IS43LD32640B-18BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥69.77223

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥139,544.45000

立即购买
加入购物车
IS43LD32640B-25BPL-TR
IS43LD32640B-25BPL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12)

¥69.77223

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥104,658.33750

立即购买
加入购物车
IS43LD32640B-25BPLI-TR
IS43LD32640B-25BPLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12)

¥80.02945

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥120,044.16900

立即购买
加入购物车
IS45S32400F-7TLA1-TR
IS45S32400F-7TLA1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥41.00787

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥61,511.79900

立即购买
加入购物车
IS42S32160F-6TL
IS42S32160F-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥93.82835

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥10,133.46191

立即购买
加入购物车
会员中心 微信客服
客服
回到顶部