品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥39.45247 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59,178.70050 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥105.02640 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,082.53402 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥103.23957 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17,653.96681 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10) | ¥74.24925 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥148,498.49800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥80.25014 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥64,200.11520 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥37.35058 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥93,376.44500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥54.34203 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥135,855.07500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13) | ¥119.68892 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28,725.34152 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥51.69597 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,407.03376 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 90 MHz 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥43.06772 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,201.75125 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥80.25014 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥200,625.36000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥110.68890 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18,927.80105 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥43.06772 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,201.75125 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12) | ¥73.79734 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,397.95362 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10) | ¥73.91295 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16,260.84834 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥86.84672 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16,500.87623 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥44.05561 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,516.01090 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥59.25227 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,798.48967 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12) | ¥82.26796 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15,548.64406 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥123.70656 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,360.30837 | 立即购买 加入购物车 |