品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥75.22663 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥188,066.57000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥102.40406 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,059.63848 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥40.23017 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥60,345.25050 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥103.72825 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82,982.60080 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥100.01842 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥250,046.04000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥124.34779 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29,843.46912 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥103.72825 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82,982.60080 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥8.21997 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16,439.93400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥80.79664 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥201,991.58750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥32.52674 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,319.30587 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10) | ¥93.35374 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28,006.12140 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥39.20024 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥78,400.48200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥32.35859 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥80,896.47500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥39.62062 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59,430.92850 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥74.56453 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17,895.48792 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥39.62062 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59,430.92850 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥42.36358 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥105,908.96000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥35.69009 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥89,225.21250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥35.69009 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥89,225.21250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥34.91239 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥87,280.96500 | 立即购买 加入购物车 |