ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥74.90084 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥149,801.67000 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥6.39331 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,488.10222 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥5.09683 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,193.65800 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥145.19335 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,453.92091 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥99.23021 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,144.57490 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥124.03250 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,930.34029 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥96.19298 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥144,289.46550 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥144.92971 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,434.93876 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥124.03250 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,930.34029 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥124.03250 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,930.34029 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥803.52086 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥84,369.69009 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥45.20114 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥113,002.83750 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥45.20114 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥113,002.83750 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥124.03250 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,930.34029 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.71V~1.89V 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-LFBGA (15x17) | ¥803.52086 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥84,369.69009 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥85.58894 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16,261.89936 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥82.33102 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥205,827.53750 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥77.52820 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥193,820.49250 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥951.84070 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥68,532.53011 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥820.30445 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,640,608.89200 | 立即购买 加入购物车 |