品牌介绍
Advanced Linear Devices，Inc.（ALD）开发和制造超低功耗、精密CMOS模拟集成电路、相关板级产品和能量收集模块及配件，包括公司独有的EPAD？技术ALD的标准半导体产品包括一整套“同类最佳”超低电荷注入低压模拟开关、双斜坡a/D转换器和数字处理器、精密电压比较器、精密轨对轨CMOS运算放大器和具有高放电输出的低漂移CMOS定时器，以及广泛的增强、耗尽、，零阈值模式EPAD匹配小信号MOSFET阵列。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N和2个P通道匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40毫安, 16毫安 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥58.01563 | 16 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.01563 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 16-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥61.05765 | 21 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.05765 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥66.56225 | 16 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.56225 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥25.27627 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,263.81360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥29.75673 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,487.83650 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥31.72970 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,586.48480 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥32.98417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,649.20835 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥32.98417 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,649.20835 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥34.59789 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,729.89425 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥34.77751 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,738.87545 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥35.67273 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.63655 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥35.67273 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.63655 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥36.38978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,819.48890 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥36.74903 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,837.45130 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安，3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥38.00350 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,900.17480 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（TJ） | ¥39.43759 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,971.87955 | 添加到BOM 立即询价 |