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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SUM70090E-GE3
SUM70090E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.60265

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合计: ¥12.60265

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SIHA240N60E-GE3
SIHA240N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.45299

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合计: ¥22.45299

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SI4465ADY-T1-GE3
SI4465ADY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.7A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.77552

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合计: ¥14.77552

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SQJA38EP-T1_GE3
SQJA38EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.76391

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合计: ¥8.76391

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SQJA60EP-T1_BE3
SQJA60EP-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

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合计: ¥8.40176

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IRF630STRLPBF
IRF630STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 74W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.89236

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合计: ¥12.89236

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IRFR9014TRPBF-BE3
IRFR9014TRPBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.40176

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5-7 工作日

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合计: ¥8.40176

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SQS484EN-T1_BE3
SQS484EN-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.88076

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合计: ¥6.88076

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SQA446CEJW-T1_GE3
SQA446CEJW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70W-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.70789

50

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合计: ¥4.70789

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SISA10BDN-T1-GE3
SISA10BDN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Ta)、104A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

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合计: ¥6.88076

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SI8401DB-T1-E1
SI8401DB-T1-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.47W(Ta) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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合计: ¥8.90877

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SI1442DH-T1-BE3
SI1442DH-T1-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

0

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合计: ¥3.40416

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SQA405CEJW-T1_GE3
SQA405CEJW-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70W-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.62145

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合计: ¥3.62145

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IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

36

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合计: ¥7.60505

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IRF530STRRPBF
IRF530STRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.10965

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合计: ¥13.10965

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IRF610STRLPBF
IRF610STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 36W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.10965

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合计: ¥13.10965

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SQD70140EL_GE3
SQD70140EL_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

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SQJ401EP-T1_GE3
SQJ401EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.35495

21

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合计: ¥15.35495

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SI7686DP-T1-E3
SI7686DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 37.9W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.34334

0

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SQS484EN-T1_GE3
SQS484EN-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.60505

0

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合计: ¥7.60505

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