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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SI4160DY-T1-GE3
SI4160DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.4A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.28492

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SI7625DN-T1-GE3
SI7625DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.54662

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SQS407ENW-T1_GE3
SQS407ENW-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.82233

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IRLR014PBF
IRLR014PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.96719

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SI3407DV-T1-BE3
SI3407DV-T1-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

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IRFL9014TRPBF-BE3
IRFL9014TRPBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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SQS850EN-T1_GE3
SQS850EN-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.82233

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SIHD5N50D-GE3
SIHD5N50D-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.96719

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SI2336DS-T1-BE3
SI2336DS-T1-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta), 5.2A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

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SQJ142EP-T1_GE3
SQJ142EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 167A(Tc) 最大功耗: 191W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.54662

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SI7633DP-T1-GE3
SI7633DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.67508

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SI1480DH-T1-BE3
SI1480DH-T1-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A(Ta)、2.6A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta)、2.8W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

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SI6423DQ-T1-E3
SI6423DQ-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta) 最大功耗: 1.05W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.39937

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SIR876ADP-T1-GE3
SIR876ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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SISS64DN-T1-GE3
SISS64DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

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SIRA02DP-T1-GE3
SIRA02DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 71.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.39937

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SISA10DN-T1-GE3
SISA10DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

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SIR112DP-T1-RE3
SIR112DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37.6A (Ta), 133A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

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SIR104ADP-T1-RE3
SIR104ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.8A(Ta),81A(Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.64466

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SI4634DY-T1-E3
SI4634DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24.5A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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