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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SI1411DH-T1-BE3
SI1411DH-T1-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 420毫安 (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.80833

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合计: ¥6.80833

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IRFR9110PBF
IRFR9110PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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IRFR210TRPBF-BE3
IRFR210TRPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SQS405CENW-T1_GE3
SQS405CENW-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.72189

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合计: ¥5.72189

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SQJ144EP-T1_GE3
SQJ144EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A(Tc) 最大功耗: 148W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.31533

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IRFR420TRLPBF
IRFR420TRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

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合计: ¥12.45779

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SUD23N06-31-BE3
SUD23N06-31-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) 最大功耗: 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

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SI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.83394

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合计: ¥13.83394

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SQ2301ES-T1_BE3
SQ2301ES-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.05602

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合计: ¥4.05602

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SI3458BDV-T1-BE3
SI3458BDV-T1-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta)、4.1A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.3W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

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SQ2362ES-T1_BE3
SQ2362ES-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.07003

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IRFR024TRLPBF
IRFR024TRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.74750

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SQJA78EP-T1_GE3
SQJA78EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.96479

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SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.26851

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SI4190ADY-T1-GE3
SI4190ADY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.4A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.12366

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SI1416EDH-T1-BE3
SI1416EDH-T1-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta), 3.9A (Tc) 最大功耗: 1.56W(Ta),2.8W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.54902

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SIHU5N80AE-GE3
SIHU5N80AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.98120

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SUD23N06-31L-T4BE3
SUD23N06-31L-T4BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) 最大功耗: 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.46019

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SI7112DN-T1-E3
SI7112DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.25451

10

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SIR610DP-T1-RE3
SIR610DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35.4A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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