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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SIHG22N60E-E3
SIHG22N60E-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.75191

9

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.75191

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SUM60061EL-GE3
SUM60061EL-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥44.97841

0

5-7 工作日

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合计: ¥44.97841

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SQA600CEJW-T1_GE3
SQA600CEJW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70W-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.41817

0

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合计: ¥4.41817

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SIHG16N50C-E3
SIHG16N50C-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥34.83835

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.83835

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SIHG17N80AE-GE3
SIHG17N80AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.68428

0

5-7 工作日

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合计: ¥23.68428

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SIHP21N65EF-GE3
SIHP21N65EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥35.34535

0

5-7 工作日

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合计: ¥35.34535

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SIHG068N60EF-GE3
SIHG068N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.99242

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.99242

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SIHG23N60E-GE3
SIHG23N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TA)

¥35.41778

0

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合计: ¥35.41778

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SQW33N65EF-GE3
SQW33N65EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.00642

0

5-7 工作日

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合计: ¥47.00642

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SIHK045N60E-T1-GE3
SIHK045N60E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK10 x 12 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥75.61588

9

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合计: ¥75.61588

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SQJQ160E-T1_GE3
SQJQ160E-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 602A (Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.79873

0

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合计: ¥26.79873

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SIHG17N80AEF-GE3
SIHG17N80AEF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.33614

0

5-7 工作日

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合计: ¥24.33614

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SIHB053N60E-GE3
SIHB053N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.94800

0

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合计: ¥47.94800

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SIHB055N60EF-GE3
SIHB055N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥48.88958

0

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合计: ¥48.88958

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IRFBE20PBF
IRFBE20PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.87836

53

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- +

合计: ¥11.87836

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IRF830APBF
IRF830APBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.87836

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.87836

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IRFU9310PBF
IRFU9310PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

0

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合计: ¥11.95079

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SQ2315ES-T1_BE3
SQ2315ES-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.56303

0

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SUD70090E-GE3
SUD70090E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.95079

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.95079

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IRF9640PBF-BE3
IRF9640PBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.49981

0

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合计: ¥15.49981

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