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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI1070X-T1-GE3
SI1070X-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 236毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.83874

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SIHP22N60EF-GE3
SIHP22N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.50901

17

5-7 工作日

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合计: ¥26.50901

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SIA477EDJ-T1-GE3
SIA477EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.83874

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SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、6.5W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.20088

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.20088

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IRFBF30PBF-BE3
IRFBF30PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.80113

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.80113

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SIHP11N80E-GE3
SIHP11N80E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.79873

18

5-7 工作日

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合计: ¥26.79873

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SIHH080N60E-T1-GE3
SIHH080N60E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 184W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.89437

40

5-7 工作日

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合计: ¥38.89437

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SIHG026N60EF-GE3
SIHG026N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A(Tc) 最大功耗: 521W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥108.49864

0

5-7 工作日

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合计: ¥108.49864

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SIHB21N80AE-GE3
SIHB21N80AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.4A(Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.01842

0

5-7 工作日

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合计: ¥22.01842

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SIHB22N60EF-GE3
SIHB22N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.01602

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5-7 工作日

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合计: ¥27.01602

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SIB406EDK-T1-GE3
SIB406EDK-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.95W(Ta),10W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

5

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合计: ¥4.34574

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SQD40N10-25_GE3
SQD40N10-25_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥48.31014

0

5-7 工作日

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合计: ¥48.31014

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SIHP17N80AEF-GE3
SIHP17N80AEF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.09085

0

5-7 工作日

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合计: ¥22.09085

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IRFSL11N50APBF
IRFSL11N50APBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.45059

0

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合计: ¥27.45059

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SI8457DB-T1-E1
SI8457DB-T1-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta)、2.7W(Tc) 供应商设备包装: 4-MICRO FOOT (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.56303

2

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合计: ¥4.56303

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SI8424CDB-T1-E1
SI8424CDB-T1-E1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta)、2.7W(Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

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合计: ¥4.70789

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SQA401EEJ-T1_GE3
SQA401EEJ-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.68A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.78031

0

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合计: ¥4.78031

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SIHP21N60EF-BE3
SIHP21N60EF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.16327

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合计: ¥22.16327

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SIHK125N60E-T1-GE3
SIHK125N60E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 132W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK10 x 12 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.61866

0

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合计: ¥39.61866

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SIHK055N60E-T1-GE3
SIHK055N60E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 236W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK10 x 12 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥64.02724

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合计: ¥64.02724

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