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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SIHB186N60EF-GE3
SIHB186N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.45299

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5-7 工作日

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合计: ¥22.45299

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SIRA36DP-T1-GE3
SIRA36DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

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合计: ¥4.49060

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SIHG25N50E-GE3
SIHG25N50E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.26132

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合计: ¥29.26132

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SIHA22N60E-E3
SIHA22N60E-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.55103

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合计: ¥29.55103

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SIHG22N50D-E3
SIHG22N50D-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.13046

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合计: ¥30.13046

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SIHP21N60EF-GE3
SIHP21N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.34775

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合计: ¥30.34775

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SIHG22N60AE-GE3
SIHG22N60AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.42018

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合计: ¥30.42018

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SQA700CEJW-T1_GE3
SQA700CEJW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.20088

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合计: ¥4.20088

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SIHA17N80AEF-GE3
SIHA17N80AEF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.59785

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合计: ¥22.59785

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SQJQ140E-T1_GE3
SQJQ140E-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 701A (Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.92958

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合计: ¥25.92958

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SIHP22N60E-GE3
SIHP22N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.63747

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合计: ¥30.63747

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SUM70042E-GE3
SUM70042E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.67028

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合计: ¥22.67028

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IRF840PBF-BE3
IRF840PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.70309

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合计: ¥14.70309

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SIHB068N60EF-GE3
SIHB068N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.08125

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合计: ¥42.08125

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IRF840APBF-BE3
IRF840APBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.70309

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合计: ¥14.70309

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IRFIB5N65APBF
IRFIB5N65APBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.17248

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SQA440CEJW-T1_GE3
SQA440CEJW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70W-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.34574

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合计: ¥4.34574

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SIHG15N80AEF-GE3
SIHG15N80AEF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.03242

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合计: ¥23.03242

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SI2319CDS-T1-BE3
SI2319CDS-T1-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta)、4.4A(Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

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合计: ¥4.34574

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IRFBC30APBF-BE3
IRFBC30APBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.24971

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合计: ¥23.24971

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