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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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IRF610PBF-BE3
IRF610PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

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合计: ¥7.09804

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SISH892BDN-T1-GE3
SISH892BDN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 3.4W(Ta)、29W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8DC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.73590

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合计: ¥6.73590

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SI4447DY-T1-E3
SI4447DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

4

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合计: ¥6.30132

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SQJ164ELP-T1_GE3
SQJ164ELP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 187W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.83634

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合计: ¥8.83634

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SI7110DN-T1-E3
SI7110DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.05123

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合计: ¥14.05123

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SI3410DV-T1-GE3
SI3410DV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.1W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

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SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

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合计: ¥6.30132

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SIR680DP-T1-RE3
SIR680DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.45539

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合计: ¥17.45539

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SIRA50ADP-T1-RE3
SIRA50ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 54.8A (Ta), 219A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.02321

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SI4463BDY-T1-GE3
SI4463BDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.16807

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合计: ¥12.16807

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SIR880ADP-T1-GE3
SIR880ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.12366

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IRFU110PBF
IRFU110PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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SQD100N03-3M4_GE3
SQD100N03-3M4_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.24050

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SISS06DN-T1-GE3
SISS06DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.69148

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SI1441EDH-T1-BE3
SI1441EDH-T1-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta), 4A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Ta)、2.8W(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

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IRFR210PBF
IRFR210PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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IRFR210TRLPBF-BE3
IRFR210TRLPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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SQD100N04-3M6_GE3
SQD100N04-3M6_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.24050

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SI1403BDL-T1-BE3
SI1403BDL-T1-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Ta) 最大功耗: 568mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

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SQJA68EP-T1_GE3
SQJA68EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.30132

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