9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA811ADJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA811ADJ-T1-GE3参考价格为0.58000美元。Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6。您可以下载SIA811ADJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIA811ADJ-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIA537EDJ-T1-GE3带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SC-70-6双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为PowerPAKR SC-70-6 Dual，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为7.8W，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为12V、20V，输入电容Cis-Vds为455pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为28mOhm@5.2A、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@8V，Pd功耗为7.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12 ns 10 ns，上升时间为12 ns15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V-20 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1 V，Rds导通漏极-源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为25ns 30ns，典型接通延迟时间为10ns 15ns，Qg栅极电荷为10.5nC 16.3nC，正向跨导Min为23S。
带有用户指南的SIA778DJ-T1-GE3，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PowerPAKR SC-70-6 Dual以及TrenchFETR系列，该器件也可以用作29mOhm@5A、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为6.5W，5W，该器件采用Digi-ReelR交替封装封装，该器件具有PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为500pF@6V，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@8V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V、20V，25°C的电流连续漏极Id为4.5A、1.5A。
带有电路图的SIA777EDJ-T1-GE3，包括1.5A、4.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V、12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET型特性，如N和P通道，栅极电荷Qg Vgs设计为在2.2nC@5V下工作，以及表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装盒为PowerPAKR SC-70-6 Dual，设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备最大功率为5W，7.8W，最大Rds On Max Id Vgs为225 mOhm@1.6A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为PowerPAKL SC-70-6 Dual，Vgs th Max Id为1V@250μa。
