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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SIHH105N60EF-T1GE3
SIHH105N60EF-T1GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 174W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥52.07645

0

5-7 工作日

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合计: ¥52.07645

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IRF710SPBF
IRF710SPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.16807

0

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合计: ¥12.16807

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SIHP6N40D-E3
SIHP6N40D-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.16807

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.16807

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IRFR110PBF-BE3
IRFR110PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

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合计: ¥7.60505

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SIHD690N60E-GE3
SIHD690N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.38536

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.38536

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SIR514DP-T1-RE3
SIR514DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.8A(Ta),84.8A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 83.3W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.99280

25

5-7 工作日

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合计: ¥14.99280

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IRFZ24PBF
IRFZ24PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.45779

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IRLZ24LPBF
IRLZ24LPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.45779

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SIA430DJT-T4-GE3
SIA430DJT-T4-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.39824

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合计: ¥8,389.45200

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SIHU6N62E-GE3
SIHU6N62E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.53022

0

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合计: ¥12.53022

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SIRA88BDP-T1-GE3
SIRA88BDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 17W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.40425

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5-7 工作日

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合计: ¥8,425.51800

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SIHF8N50D-E3
SIHF8N50D-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.60265

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.60265

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SI1330EDL-T1-GE3
SI1330EDL-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240毫安(Ta) 最大功耗: 280毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.40780

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5-7 工作日

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合计: ¥4,223.40600

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SUM90100E-GE3
SUM90100E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.49261

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合计: ¥30.49261

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SQS486CENW-T1_GE3
SQS486CENW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.38776

0

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合计: ¥7.38776

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SIJH600E-T1-GE3
SIJH600E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Ta), 373A (Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta)、333W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥48.45500

0

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合计: ¥48.45500

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SQ7415CENW-T1_GE3
SQ7415CENW-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.38776

0

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合计: ¥7.38776

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SI7850DP-T1-GE3
SI7850DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.13766

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合计: ¥15.13766

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SUP90330E-GE3
SUP90330E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35.8A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.67508

0

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合计: ¥12.67508

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IRF820ASPBF
IRF820ASPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.74750

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