9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA430DJT-T4-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA430DJT-T4-GE3参考价格0.19305美元。Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK。您可以下载SIA430DJT-T4-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA429DJT-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SIA429DJT-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1750pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为20.5 mOhm@6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为62nC@8V，Pd功耗为19W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25纳秒，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅-源极阈值电压为-1 V，Rds漏极源极电阻为20.5 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为41nC，正向跨导Min为30S。
SIA426DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR SC-70-6单供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为11ns，Rds On Max Id Vgs为23.6 mOhm@9.9A，10V，Rds On Drain Source电阻为23.6 m Ohm，功率最大值为19W，Pd功耗为3.5W，部件别名为SIA426DJ-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SC-70-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为1020pF@10V，Id连续漏极电流为4.5 A，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V；FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Tc），配置为单四漏极双源，并且信道模式是增强。
SIA427DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6，包括单一配置，它们设计为以37 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了在-12A中使用的电流，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为PowerPAK-SC-70-6，器件采用卷筒封装，器件具有部分别名的SIA427DJ-GE3，Pd功耗为3.5W，Qg栅极电荷为33nC，Rds漏极-源极电阻为13mOhm，系列为SIA4xxDJ，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，Vds漏极-源极击穿电压为-8V，Vgs栅极-源极电压为5V。
