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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
IRLZ14PBF-BE3
IRLZ14PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

370

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.40176

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IRF9510PBF-BE3
IRF9510PBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

303

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.40176

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IRF830BPBF
IRF830BPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.47419

227

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.47419

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SIRA18BDP-T1-GE3
SIRA18BDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 17W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.69388

1282

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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SIE820DF-T1-GE3
SIE820DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(S) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.52782

730

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.52782

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IRFZ14PBF-BE3
IRFZ14PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.77792

2000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.77792

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IRF520PBF-BE3
IRF520PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.90877

606

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.90877

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IRF620PBF-BE3
IRF620PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

471

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.90877

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SI4386DY-T1-GE3
SI4386DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.47W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.70549

1788

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.70549

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SIHP17N80E-BE3
SIHP17N80E-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.79393

895

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.79393

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IRF620PBF
IRF620PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

148

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.90877

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SQJ410EP-T1_GE3
SQJ410EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.46940

1312

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.46939

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SIHG125N60EF-GE3
SIHG125N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.22851

545

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.22851

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SI4842BDY-T1-GE3
SI4842BDY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.54182

1798

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.54182

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SI4894BDY-T1-E3
SI4894BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

1559

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.99520

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IRFZ14PBF
IRFZ14PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.77792

990

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.77792

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IRF9Z14PBF
IRF9Z14PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.77792

453

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.77792

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IRF9520PBF
IRF9520PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.77792

205

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.77792

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IRF720PBF
IRF720PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.77792

379

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.77792

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SIHP16N50C-BE3
SIHP16N50C-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥44.32655

997

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.32655

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