9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE820DF-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE820DF-T1-GE3参考价格$2.42000。Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK。您可以下载SIE820DF-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIE816DF-T1-E3是MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm@10V，包括卷轴封装，它们设计为与SIE816DF-E3零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如PolarPAK-10，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供5.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为7.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为22ns，沟道模式为增强。
SIE816DF-T1-GE3是MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作5.2 W Pd功耗。此外，零件别名为SIE816DF-GE3，该设备采用卷筒包装，该设备具有PolarPAK-10封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为19.8 a，配置为单一。
SIE812DF，带有vishay制造的电路图。SIE812DF采用SMD封装，是FET的一部分-单个。
SIE818DF，带有VAHSY制造的EDA/CAD模型。SIE818DF以SMD封装形式提供，是FET的一部分-单个。
