9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE864DF-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE864DF-T1-GE3参考价格为1.708934美元。Vishay Siliconix SIE864DF-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK。您可以下载SIE864DF-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIE850DF-T1-E3是MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm@10V，包括卷轴封装，它们设计为与SIE850DF-E3零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如PolarPAK-10，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为35 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为2.5 mOhm，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
SIE850DF-T1-GE3是MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm@10V，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作5.2 W Pd功耗。此外，零件别名为SIE850DF-GE3，该设备采用卷筒包装，该设备具有PolarPAK-10封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-50 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为35 a，配置为单一。
SIE862DF是vishay制造的MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK。SIE862DF提供10 PolarPAK®（U）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 50A PolarPAK。
SIE862DF-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK。SIE862DF-T1-GE3以10 PolarPAK®（U）封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 50A PolarPAK、N沟道30V 50C（Ta）5.2W（Ta）、104W（Tc）表面安装10 PolarPAK？（U） 。
