9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE810DF-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE810DF-T1-GE3参考价格$3.61000。Vishay Siliconix SIE810DF-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK。您可以下载SIE810DF-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIE802DF-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK,包括卷轴封装,它们设计为与SIE802DF-E3零件别名一起工作,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如POLARPAK-10,技术设计为在Si中工作,该设备也可以用作单一配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供5.2 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为20 ns 10 ns,上升时间为195 ns 20 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为42.7 A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds漏极漏极-漏极电阻为1.9mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为45ns 65ns,典型接通延迟时间为45 ns 25ns,沟道模式为增强。
SIE810DF-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK,包括12 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中,用于40 ns 20 ns,提供典型的关断延迟时间功能,例如95 ns 100 ns,晶体管类型设计为在1 N沟道中工作,该器件还可以用作Si技术。此外,上升时间为95 ns 70 ns,器件提供1.4 mOhms Rds漏极-源极电阻,器件具有5.2 W的Pd功耗,零件别名为SIE810DF-E3,封装为卷轴,封装盒为PolarPAK-10,通道数为1通道,安装类型为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为45 A,下降时间为15 ns 10 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
SIE806DF-T1-E3是MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm@10V,包括增强通道模式,它们设计为以单一配置运行,下降时间如数据表注释所示,用于15 ns 10 ns,提供Id连续漏极电流功能,如41.3 a,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外,信道数为1信道,该器件采用PolarPAK-10封装盒,该器件具有一个封装卷,部件别名为SIE806DF-E3,Pd功耗为5.2 W,Rds漏极-源极电阻为1.7 mΩ,上升时间为160 ns 50 ns,技术为Si,晶体管极性为N信道,晶体管类型为1 N信道,典型关断延迟时间为85ns,典型接通延迟时间为125ns 20ns,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Vgs栅极-源极电压为12V。
SIE806DF-T1-GE3是MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm@10V,包括SMD/SMT安装类型,它们设计为以单一配置运行,数据表注释中显示了SIE806DF-GE3中使用的零件别名,该SIE806DF/GE3提供Si等技术特性,封装设计为在卷筒中工作,以及PolarPAK-10封装盒,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,Pd功耗为5.2 W,器件提供41.3 A Id连续漏极电流,器件具有30 V Vds漏极-源极击穿电压,Vgs栅极-源极电压为12 V,Rds漏极源极电阻为1.7 mΩ,晶体管类型为1 N沟道,沟道数为1沟道,其最大工作温度范围为+150 C,其最低工作温度范围为-55℃。