9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE808DF-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE808DF-T1-E3参考价格$4.17000。Vishay Siliconix SIE808DF-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK。您可以下载SIE808DF-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIE802DF-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK，包括卷轴封装，它们设计为与SIE802DF-E3零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如POLARPAK-10，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供5.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns 10 ns，上升时间为195 ns 20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为42.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns 65ns，典型接通延迟时间为45 ns 25ns，沟道模式为增强。
SIE806DF-T1-E3是MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm@10V，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于125 ns 20 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如85 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为160 ns 50 ns，器件的漏极电阻为1.7 mOhms Rds，器件具有5.2 W的Pd功耗，零件别名为SIE806DF-E3，封装为卷轴式，封装盒为PolarPAK-10，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为41.3 A，下降时间为15 ns 10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SIE806DF-T1-GE3是MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm@10V，包括单一配置，它们设计为以41.3 a Id连续漏极电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可以用作PolarPAK-10包装盒。此外，包装为卷筒，该器件以SIE806DF-GE3零件别名提供，该器件具有5.2W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为1.7mOhms，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为12V。
SIE800DF-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK。SIE800DF-T1-E3以10 PolarPAK®（S）封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 50A 10-PolarPAK、N沟道30V 50C（Ta）5.2W（Ta）、104W（Tc）表面安装10 PolarPAK？（S） 。
