久芯网

品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
IRFR1N60ATRPBF-BE3
IRFR1N60ATRPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

1869

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.73350

添加到BOM
立即询价
SIR622DP-T1-RE3
SIR622DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.6A(Ta),51.6A(Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.80593

2431

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.80593

添加到BOM
立即询价
SI4368DY-T1-E3
SI4368DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.33854

235

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.33854

添加到BOM
立即询价
IRF820STRLPBF
IRF820STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.05123

542

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.05123

添加到BOM
立即询价
SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.54902

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

添加到BOM
立即询价
SI7686DP-T1-GE3
SI7686DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 37.9W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

2819

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.95079

添加到BOM
立即询价
SIUD403ED-T1-GE3
SIUD403ED-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK0806 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.75230

279

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

添加到BOM
立即询价
SI2304BDS-T1-GE3
SI2304BDS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.62145

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.62145

添加到BOM
立即询价
SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.95318

570

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.95318

添加到BOM
立即询价
IRFR120TRLPBF
IRFR120TRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.02321

1277

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.02321

添加到BOM
立即询价
IRFR120TRRPBF-BE3
IRFR120TRRPBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.02321

1140

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.02321

添加到BOM
立即询价
SI4774DY-T1-GE3
SI4774DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TA)

¥2.82473

182

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

添加到BOM
立即询价
SIS427EDN-T1-GE3
SIS427EDN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.35975

添加到BOM
立即询价
SQ7414AEN-T1_BE3
SQ7414AEN-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.09804

404

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.09804

添加到BOM
立即询价
SQD100N02-3M5L_GE3
SQD100N02-3M5L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.16807

1705

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.16807

添加到BOM
立即询价
SIR474DP-T1-GE3
SIR474DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.17047

666

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.17047

添加到BOM
立即询价
SQ4425EY-T1_GE3
SQ4425EY-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 6.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.63066

525

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.63066

添加到BOM
立即询价
SIR414DP-T1-GE3
SIR414DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.31293

2400

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.31293

添加到BOM
立即询价
SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.57703

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.57703

添加到BOM
立即询价
SI4465ADY-T1-E3
SI4465ADY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.7A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.77552

532

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.77552

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部