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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SI4532ADY-T1-E3
SI4532ADY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.76487

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.76487

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SI7956DP-T1-E3
SI7956DP-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.04643

0

5-7 工作日

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合计: ¥24.04643

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SI4539ADY-T1-E3
SI4539ADY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A, 3.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.94983

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.94983

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SI4542DY-T1-E3
SI4542DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.90637

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.90637

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SI1539DDL-T1-GE3
SI1539DDL-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Tc), 460毫安 (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.09756

9000

5-7 工作日

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合计: ¥8.09756

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SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40V, 200V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc), 20A (Tc) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.59545

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.59545

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SI4562DY-T1-E3
SI4562DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.17191

9000

5-7 工作日

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合计: ¥4.17191

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SI4816DY-T1-E3
SI4816DY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A, 7.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.60265

9000

5-7 工作日

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合计: ¥12.60265

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SI6969DQ-T1-GE3
SI6969DQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.99424

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.99424

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SI4920DY-T1-E3
SI4920DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.72141

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.72141

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SI6973DQ-T1-E3
SI6973DQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.06571

9000

5-7 工作日

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合计: ¥14.06571

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SI4942DY-T1-E3
SI4942DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.25787

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.25787

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SI7945DP-T1-GE3
SI7945DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.96383

9000

5-7 工作日

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合计: ¥14.96383

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SI6973DQ-T1-GE3
SI6973DQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥540.27688

9000

5-7 工作日

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合计: ¥540.27688

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SI4966DY-T1-E3
SI4966DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.94110

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1.94110

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SI7958DP-T1-GE3
SI7958DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.67747

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.67747

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SI1539CDL-T1-GE3
SI1539CDL-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安, 500毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.25931

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SI6983DQ-T1-GE3
SI6983DQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,360.89745

9000

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合计: ¥1,360.89745

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SIZF918DT-T1-GE3
SIZF918DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、40A(Tc)、35A(Ta 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.48541

0

5-7 工作日

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合计: ¥32,912.46000

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SI7960DP-T1-GE3
SI7960DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.68716

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合计: ¥17.68716

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