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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
VQ1006P-2
VQ1006P-2
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 90V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥189.27146

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥189.27146

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VQ1006P-E3
VQ1006P-E3
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 90V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.18352

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.18352

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SI5908DC-T1-GE3
SI5908DC-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.50221

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VQ2001P
VQ2001P
场效应管类型: 4 P-Channel 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.34478

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.34478

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SI4202DY-T1-GE3
SI4202DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.50221

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VQ2001P-2
VQ2001P-2
场效应管类型: 4 P-Channel 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.09852

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.09852

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SI4288DY-T1-GE3
SI4288DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.50221

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VQ3001P-E3
VQ3001P-E3
场效应管类型: 2个N和2个P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安, 600毫安 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.35831

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.35831

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SQJ992EP-T1_GE3
SQJ992EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.57463

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.57463

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SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.64706

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SI4932DY-T1-GE3
SI4932DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

4

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.64706

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SQJ974EP-T1_GE3
SQJ974EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.71949

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.71949

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SQJ912BEP-T1_GE3
SQJ912BEP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.71949

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.71949

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SIZ914DT-T1-GE3
SIZ914DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、40A 供应商设备包装: 8-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.25115

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.25115

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SQJ940EP-T1_GE3
SQJ940EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、18A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.00921

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.00921

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SIA936EDJ-T1-GE3
SIA936EDJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.95270

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.95270

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SIZ250DT-T1-GE3
SIZ250DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、38A(Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.12605

0

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合计: ¥9.12605

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SQJB48EP-T1_GE3
SQJB48EP-T1_GE3
DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

¥12.02321

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.02321

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SQJ992EP-T2_GE3
SQJ992EP-T2_GE3
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

¥7.31533

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合计: ¥7.31533

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