SIA936EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix SiA936EDJ双N沟道MOSFET旨在节省空间并提高便携式电子产品的功率效率，其特点是在2毫米乘2毫米的占地面积内，在4.5V和2.5V栅极驱动器下，20V（12V VGS和8V VGS）器件的导通电阻为业界最低。SiA936EDJ针对智能手机、平板电脑、移动计算设备、非植入式便携式医疗保健产品以及带有小型无刷直流电机的手持消费电子产品中的负载和充电器开关、DC/DC转换器、H桥和电池保护进行了优化，以实现电源管理。对于这些应用，SiA936EDJ提供34m（4.5V）、37m（3.7V）和45m（2.5V）的极低导通电阻，以及2000V的内置ESD保护。它在2.5V时的导通电阻比最接近的竞争8V VGS器件低11.7%，同时提供更高的（G-S）保护带，比最接近竞争的12V VGS器件降低15.1%。该器件的低导通电阻使得设计者能够在电路中实现更低的电压降，并促进更有效地使用电力和更长的电池运行时间。通过将两个MOSFET集成到一个紧凑的封装中，双SiA936EDJ简化了设计，降低了总组件数量，并节省了关键的PCB空间。Vishay Siliconix SiA936EDJ双N沟道MOSFET经过100%Rg测试，根据JEDEC JS709A定义，无卤素，符合RoHS指令2011/65/EU。

Vishay在超紧凑、热增强型PowerPAK®SC-70封装中引入了一种新的双N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ旨在节省空间并提高便携式电子产品的能效，其特点是在2 mm×2 mm的占地面积内，在4.5 V和2.5 V栅极驱动器下，20 V（12 V VGS和8 V VGS）器件的导通电阻为业界最低。对于超便携式、移动计算设备、消费电子产品和便携式医疗保健产品，SiA936EDJ在一个紧凑型设备中结合了极低的导通电阻和内置的2000 V ESD保护。它在2.5 V时的导通电阻比最接近的竞争对手的8 V VGS器件低11.7%，同时提供更高的（G-S）保护带，比具有12 V VGS的最接近竞争对手的器件低15.1%。这些低导通电阻值允许设计者在其电路中实现较低的电压降，并促进更有效地使用功率和更长的电池运行时间。此外，通过将两个MOSFET集成到一个紧凑的封装中，双SiA936EDJ简化了设计，降低了总组件数量，并节省了关键的PCB空间。

MOSFET N-CH双20V SC-70