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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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SI6955ADQ-T1-GE3
SI6955ADQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥206.52405

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥206.52405

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SI6966DQ-T1-E3
SI6966DQ-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.17143

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.17143

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SI6966DQ-T1-GE3
SI6966DQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,537.39244

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,537.39244

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SI6966EDQ-T1-E3
SI6966EDQ-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.05267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.05267

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SI6966EDQ-T1-GE3
SI6966EDQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.24386

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.24386

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SI6967DQ-T1-E3
SI6967DQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.69004

9000

5-7 工作日

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合计: ¥11.69004

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SI6967DQ-T1-GE3
SI6967DQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.57607

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.57607

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SI6969BDQ-T1-GE3
SI6969BDQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.96959

9000

5-7 工作日

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合计: ¥2.96959

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SI4210DY-T1-GE3
SI4210DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.33173

28

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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SI3552DV-T1-GE3
SI3552DV-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.30132

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SI5515CDC-T1-E3
SI5515CDC-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.30132

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SI4599DY-T1-GE3
SI4599DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A, 5.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.88076

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SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A、1.7A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.88076

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SI4946CDY-T1-GE3
SI4946CDY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

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合计: ¥7.24290

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SQ4532AEY-T1_GE3
SQ4532AEY-T1_GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.37375

0

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合计: ¥6.37375

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SI4936BDY-T1-E3
SI4936BDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.24290

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SI3900DV-T1-GE3
SI3900DV-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.38776

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SI4925DDY-T1-GE3
SI4925DDY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.46019

0

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合计: ¥7.46019

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SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.60505

0

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合计: ¥7.60505

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SI5504BDC-T1-E3
SI5504BDC-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.7A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.60505

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