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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SQ9945BEY-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.40176

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SI7972DP-T1-GE3
SI7972DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.40176

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5-7 工作日

- +

合计: ¥8.40176

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SQJ958EP-T1_GE3
SQJ958EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.40176

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SIZ254DT-T1-GE3
SIZ254DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 70V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A(Ta),32.5A(Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.12605

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.12605

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SQJ570EP-T1_GE3
SQJ570EP-T1_GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc),9.5A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

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5-7 工作日

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合计: ¥9.19848

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SI4900DY-T1-E3
SI4900DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.48820

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.48820

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SI4618DY-T1-GE3
SI4618DY-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A, 15.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.63498

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.63498

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SI7270DP-T1-GE3
SI7270DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.14246

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.14246

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SIZ240DT-T1-GE3
SIZ240DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.2A (Ta), 48A (Tc), 16.9A (Ta), 47A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.92277

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.92277

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SIA915DJ-T1-GE3
SIA915DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.26420

9000

5-7 工作日

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合计: ¥23.26420

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SIA920DJ-T1-GE3
SIA920DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.00729

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.00729

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SQJB60EP-T1_GE3
SQJB60EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.92277

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.92277

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SQJB80EP-T1_GE3
SQJB80EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.92277

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.92277

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SQJ962EP-T1-GE3
SQJ962EP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.58960

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.58960

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VQ1001P
VQ1001P
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 830毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.26270

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.26270

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SI4948BEY-T1-GE3
SI4948BEY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.99520

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.99520

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VQ1001P-2
VQ1001P-2
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 830毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.70549

9000

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- +

合计: ¥9.70549

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SI9926CDY-T1-E3
SI9926CDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.99520

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VQ1001P-E3
VQ1001P-E3
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 830毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.94014

9000

5-7 工作日

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合计: ¥3.94014

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VQ1006P
VQ1006P
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 90V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.09852

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.09852

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