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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SI3529DV-T1-GE3
SI3529DV-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A、1.95A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.68716

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.68716

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SI3905DV-T1-E3
SI3905DV-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.19560

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.19560

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SI3905DV-T1-GE3
SI3905DV-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.26803

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.26803

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SI3909DV-T1-E3
SI3909DV-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.93918

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.93918

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SI3909DV-T1-GE3
SI3909DV-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.53310

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.53310

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SI3981DV-T1-GE3
SI3981DV-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥391.58015

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥391.58015

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SI3983DV-T1-GE3
SI3983DV-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.75038

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.75038

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SI3993DV-T1-GE3
SI3993DV-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥131.89321

9000

5-7 工作日

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合计: ¥131.89321

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SI4226DY-T1-E3
SI4226DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.08356

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.08356

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SI4230DY-T1-GE3
SI4230DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.14246

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.14246

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SI4310BDY-T1-E3
SI4310BDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A, 9.8A 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.06667

9000

5-7 工作日

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合计: ¥12.06667

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SI4330DY-T1-GE3
SI4330DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.16519

9000

5-7 工作日

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合计: ¥18.16519

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SI4388DY-T1-GE3
SI4388DY-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.7A、11.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.69244

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.69244

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SI4539ADY-T1-GE3
SI4539ADY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A, 3.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.99712

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.99712

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SI4542DY-T1-GE3
SI4542DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.66299

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.66299

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SI4544DY-T1-E3
SI4544DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.60601

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.60601

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SI4544DY-T1-GE3
SI4544DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.21585

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.21585

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SI4561DY-T1-E3
SI4561DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A, 7.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.22698

9000

5-7 工作日

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合计: ¥10.22698

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SI4562DY-T1-GE3
SI4562DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.82233

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.82233

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SI4563DY-T1-GE3
SI4563DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.22937

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.22937

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